回顧這一設(shè)備的研制，首先是國(guó)家科技攻關(guān)的成果，其次還是發(fā)明者、研制者的愛(ài)國(guó)心、事業(yè)心和持之以恒爭(zhēng)創(chuàng)民族品牌的結(jié)晶。

　　國(guó)家攻關(guān)項(xiàng)目國(guó)際先進(jìn)水平

　　制作深亞微米特征尺寸的超大規(guī)模集成電路，關(guān)鍵要獲得極淺的PN結(jié)。改變離子注入的能量，即可控制結(jié)深。但離子注入后，采用傳統(tǒng)的擴(kuò)散爐高溫長(zhǎng)時(shí)間退火工藝，會(huì)造成注入離子的嚴(yán)重再擴(kuò)散；只有快速熱處理工藝的高溫短時(shí)間退火，才能既保持離子注入原有的分布，又滿足超大規(guī)模集成電路的要求。

　　早在“六五”期間，錢(qián)佩信教授在德國(guó)取得優(yōu)異成績(jī)回國(guó)后，就將“離子注入退火”列入了“六五”國(guó)家科技攻關(guān)的子課題。在當(dāng)時(shí)微電子所所長(zhǎng)李志堅(jiān)教授的支持下，錢(qián)佩信教授帶領(lǐng)一批骨干，從無(wú)到有建立了一套有別于傳統(tǒng)思路的采用射頻感應(yīng)加熱石墨板作為紅外輻射熱源的快速退火實(shí)驗(yàn)裝置。經(jīng)過(guò)反復(fù)實(shí)驗(yàn)研究、分析測(cè)試，獲得了滿意的預(yù)期效果。在此基礎(chǔ)上，發(fā)明了RHT系列半導(dǎo)體紅外快速熱處理技術(shù)和設(shè)備，采用射頻感應(yīng)扁平石墨方腔作為平面輻射熱源，快速加熱其間的半導(dǎo)體片。鑒于這項(xiàng)技術(shù)在溫度均勻性、快速加熱穩(wěn)定性、可靠性、可重復(fù)性等方面，都優(yōu)于國(guó)外當(dāng)時(shí)流行的燈管式條形光源退火爐，因此申請(qǐng)了發(fā)明專利，進(jìn)行了小批量3英寸硅片手動(dòng)快速退火爐的生產(chǎn)。

　　為了開(kāi)發(fā)成自動(dòng)化的快速熱處理設(shè)備，這項(xiàng)技術(shù)又列入“七五”國(guó)家科技攻關(guān)“光退火設(shè)備”項(xiàng)目。在90年代初開(kāi)發(fā)出第一臺(tái)全自動(dòng)4英寸硅片快速熱處理設(shè)備，通過(guò)了電子部和國(guó)家教委主持的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定型鑒定及專家驗(yàn)收。此后，又進(jìn)行了批量生產(chǎn)。在“八五”期間，它又被列入“國(guó)家科技成果重點(diǎn)推廣計(jì)劃項(xiàng)目”。

　　爭(zhēng)創(chuàng)民族品牌堅(jiān)信美好未來(lái)

　　隨著ULSI特征線寬的減少，用快速退火爐替代傳統(tǒng)擴(kuò)散爐工藝是必然趨勢(shì)，快速熱處理設(shè)備具有至少十多年的技術(shù)壽命。因此，應(yīng)該靠我們自己的力量，將這一具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的攻關(guān)成果產(chǎn)業(yè)化，開(kāi)發(fā)成產(chǎn)品，與國(guó)外燈光型設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)。為此，我校于1990年底與香港共同投資創(chuàng)辦了北京華興微電子有限公司，承擔(dān)RHT設(shè)備的二次開(kāi)發(fā)任務(wù)。

　　國(guó)際快速熱處理技術(shù)的發(fā)展非常迅速，現(xiàn)在不僅直徑200～300毫米硅片工藝線已離不開(kāi)快速熱處理技術(shù)，而且還開(kāi)發(fā)了快速加熱鍺硅外延系統(tǒng)。由于鍺硅/硅異質(zhì)結(jié)薄膜材料是新一代的硅基材料，該材料制作的高性能異質(zhì)結(jié)晶體管(HBT)可替代移動(dòng)通訊領(lǐng)域GaAs微波功率器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。在國(guó)家自然科學(xué)基金和“九五”重點(diǎn)科技攻關(guān)計(jì)劃的資助下，科研人員又利用RHT技術(shù)開(kāi)發(fā)成功“紅外快速加熱高真空鍺硅化學(xué)氣相外延系統(tǒng)”。該系統(tǒng)在總體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上采用內(nèi)外腔、石英方腔生長(zhǎng)室及石墨加熱器，在國(guó)際上屬獨(dú)創(chuàng)，達(dá)到世界先進(jìn)水平。今年1月21日，這一成果通過(guò)了教育部主持的技術(shù)鑒定。用該設(shè)備生長(zhǎng)的直徑100毫米SiGe/Si薄膜材料，已研制出性能良好的SiGe HBT。

　　對(duì)于發(fā)展300毫米硅片快速退火技術(shù)，RHT設(shè)備加熱腔結(jié)構(gòu)所固有的溫度均勻性顯示出其獨(dú)特的優(yōu)越性。國(guó)家經(jīng)貿(mào)委提出了實(shí)現(xiàn)該裝備國(guó)產(chǎn)化的政策，上海和北京都已規(guī)劃要新建多條超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線，這給鍺硅外延爐、半導(dǎo)體快速熱處理設(shè)備創(chuàng)造了很大的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。我們要抓住機(jī)遇，通過(guò)市場(chǎng)機(jī)制，引入風(fēng)險(xiǎn)投資，開(kāi)發(fā)新的RHT設(shè)備，爭(zhēng)創(chuàng)民族品牌，使RHT技術(shù)與設(shè)備不僅占領(lǐng)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，模具培訓(xùn)而且出口到國(guó)際市場(chǎng)，為國(guó)家爭(zhēng)光，為民族爭(zhēng)氣。